 |
| ภาพจาก TechRadar โดย Wayne Williams |
นักวิจัยจาก สถาบันวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีขั้นสูงของเกาหลี (Korea Advanced Institute of Science and Technology) ได้พัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำที่มีศักยภาพในการแทนที่ DRAM และ NAND flash memory
อุปกรณ์หน่วยความจำแบบเปลี่ยนเฟส (phase change memory) ที่ใช้พลังงานต่ำเป็นพิเศษนี้ได้ผสมผสานประสิทธิภาพความเร็วสูงของ DRAM เข้ากับความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูลของ NAND แม้ในขณะที่ปิดเครื่อง
อุปกรณ์ความเร็วสูงแบบไม่ลบเลือนข้อมูล (non-volatile) ที่ได้ออกมานี้ใช้พลังงานน้อยกว่าโมเดลหน่วยความจำแบบเปลี่ยนเฟสรุ่นก่อน ๆ ถึง 15 เท่า
อ่านข่าวเต็มได้ที่: TechRadar โดย Wayne Williams
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น