 |
| ภาพจาก University of Cambridge (U.K.) |
ทีมนักวิทยาศาสตร์ในสหรัฐอเมริกาและสหราชอาณาจักรได้ออกแบบหน่วยความจำคอมพิวเตอร์รูปแบบใหม่ที่ปรับปรุงประสิทธิภาพ และใช้พลังงานอย่างเหมาะสม โดยใช้การประมวลผลข้อมูลเหมือนกับไซแนปส์ของสมองมนุษย์
นักวิจัยได้สร้างอุปกรณ์จากแฮฟเนียมออกไซด์ (hafnium oxide) ผสมกับแบเรียม (barium) ทำให้เกิดแผงกั้นที่ประกอบขึ้นเองซึ่งสามารถเลื่อนขึ้นหรือลงเพื่อให้อิเล็กตรอนผ่านได้
Markus Hellenbrand จาก University of Cambridge ของสหราชอาณาจักรอธิบายว่า "สิ่งนี้ช่วยให้มีหลายสถานะในวัสดุ ซึ่งแตกต่างจากหน่วยความจำทั่วไปที่มีเพียงสองสถานะ"
อ่านข่าวเต็มได้ที่: University of Cambridge (U.K.)
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น